Vytisknout stránku
IRF7351TRPBF
Duální MOSFET, N Kanál, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIRF7351TRPBF
Objednací kód2725900RL
Produktová ŘadaHEXFET Series
Alternativní označeníSP001577392
Technický list
1 705 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 50+ | 24.704 Kč |
| 250+ | 20.791 Kč |
| 1000+ | 16.929 Kč |
| 2000+ | 16.653 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 1
2 590.40 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIRF7351TRPBF
Objednací kód2725900RL
Produktová ŘadaHEXFET Series
Alternativní označeníSP001577392
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál60V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál60V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál8A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál8A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.0137ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.0137ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOIC
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál2W
Výkonové Ztráty P Kanál2W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová ŘadaHEXFET Series
Kvalifikace-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení dodacích lhůt. Dodací lhůty se mohou měnit. Na produkt se nevztahují slevy.
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
60V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
8A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.0137ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
2W
Produktová Řada
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
60V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
8A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.0137ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOIC
Výkonové Ztráty N Kanál
2W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Thailand
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Thailand
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000454
Sledovatelnost produktů