Vytisknout stránku
IRF9362TRPBF
Duální MOSFET, P Kanál, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIRF9362TRPBF
Objednací kód2577160
Produktová ŘadaHEXFET Series
Alternativní označeníSP001555840
Technický list
1 711 Skladem
4 000 Nyní si můžete rezervovat zásoby na skladě
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 5+ | 29.594 Kč |
| 50+ | 16.503 Kč |
| 250+ | 10.885 Kč |
| 1000+ | 8.653 Kč |
| 2000+ | 7.875 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 5
Více: 5
147.97 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIRF9362TRPBF
Objednací kód2577160
Produktová ŘadaHEXFET Series
Alternativní označeníSP001555840
Technický list
Typ KanáluP Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál30V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál30V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál8A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál8A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.017ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.017ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOIC
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál2W
Výkonové Ztráty P Kanál2W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová ŘadaHEXFET Series
Kvalifikace-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
The IRF9362TRPBF is a HEXFET® dual P-channel Power MOSFET for use with charge and discharge switch for notebook PC battery applications. It is compatible with existing surface-mount techniques.
- Industry standard package for multi-vendor compatibility
- Halogen-free
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení doby naskladnění, dodací lhůty se mohou měnit
Technické specifikace
Typ Kanálu
P Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
30V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
8A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.017ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
2W
Produktová Řada
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
30V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
8A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.017ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOIC
Výkonové Ztráty N Kanál
2W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (4)
Související produkty
Nalezené produkty: 5
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.0001
Sledovatelnost produktů