Vytisknout stránku
IRFB4227PBF
Výkonový MOSFET, N Kanál, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Skrz Desku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIRFB4227PBF
Objednací kód1298536
Produktová ŘadaHEXFET Series
Alternativní označeníSP001565892
Technický list
3 211 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 67.716 Kč |
| 10+ | 57.935 Kč |
| 100+ | 48.154 Kč |
| 500+ | 41.633 Kč |
| 1000+ | 35.363 Kč |
| 5000+ | 33.858 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
67.72 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIRFB4227PBF
Objednací kód1298536
Produktová ŘadaHEXFET Series
Alternativní označeníSP001565892
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds200V
Trvalý Proud Drainu Id65A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.024ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-220AB
Montáž TranzistoruSkrz Desku
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs5V
Rozptýlený Výkon330W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaHEXFET Series
Kvalifikace-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
IRFB4227PBF je 200 V jeden N-kanálový HEXFET®výkonový MOSFET PDP spínač, navržený pro odolnost, obnovu energie a přenos ve spínacích aplikacích pro plazmové displeje. Díky využití nejmodernějších technik dosahuje nízký odpor při zapnutí na plochu čipu a EPULSE hodnocení.
- 175°C Pracovní teplota
- Nízké QG pro rychlou odezvu
- Schopnost opakovaného špičkového proudu pro spolehlivý provoz
- Krátké doby náběhu a sestupu pro rychlé spínání
- Opakovaná lavinová schopnost pro robustnost a spolehlivost
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
65A
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-220AB
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
330W
Provozní Teplota Max
175°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napětí Drain Source Vds
200V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.024ohm
Montáž Tranzistoru
Skrz Desku
Prahové Napětí Vgs
5V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
HEXFET Series
MSL
-
Technické dokumenty (3)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00195