Vytisknout stránku
IRGP6650DPBF
IGBT, 80 A, 1.65 V, 306 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pinů
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Již není skladem
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIRGP6650DPBF
Objednací kód2456702
Technický list
Stálý Proud Kolektoru80A
Saturační Napětí Kolektor-Emitor1.65V
Rozptýlený Výkon306W
Napětí Konektor-Emitor Max600V
Druh Pouzdra TranzistoruTO-247AC
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max175°C
Montáž TranzistoruSkrz Desku
Produktová Řada-
Přehled produktu
The IRGP6650DPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It is optimized for welding and H bridge converters. It features improved reliability due to rugged hard switching performance and high power capability.
- Low VCE(ON) and switching losses
- Optimized diode for full bridge hard switch converters
- Square RBSOA
- High efficiency in a wide range of applications
- Enables short-circuit protection operation
- Excellent current sharing in parallel operation
- Environmentally-friendly
- 5µs Short-circuit
Technické specifikace
Stálý Proud Kolektoru
80A
Rozptýlený Výkon
306W
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-247AC
Provozní Teplota Max
175°C
Produktová Řada
-
Saturační Napětí Kolektor-Emitor
1.65V
Napětí Konektor-Emitor Max
600V
Počet Pinů
3Pinů
Montáž Tranzistoru
Skrz Desku
Technické dokumenty (1)
Související produkty
Nalezené produkty: 2
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Mexico
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Mexico
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00195