Vytisknout stránku
IRL7486MTRPBF
Výkonový MOSFET, N Kanál, 40 V, 209 A, 1250 µohm, DirectFET ME, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIRL7486MTRPBF
Objednací kód2577179RL
Produktová ŘadaStrongIRFET Series
Alternativní označeníSP001567046
Technický list
18 705 Skladem
Potřebujete další?
.
.
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 100+ | 21.694 Kč |
| 500+ | 17.882 Kč |
| 1000+ | 16.352 Kč |
| 5000+ | 13.944 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 1
2 289.40 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIRL7486MTRPBF
Objednací kód2577179RL
Produktová ŘadaStrongIRFET Series
Alternativní označeníSP001567046
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds40V
Trvalý Proud Drainu Id209A
Odpor Drain-Source při Zapnutí1250µohm
Druh Pouzdra TranzistoruDirectFET ME
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs2.5V
Rozptýlený Výkon104W
Počet Pinů8Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová ŘadaStrongIRFET Series
Kvalifikace-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
IRL7486MTRPBF is a N channel power MOSFET. Application includes brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters, DC/AC inverters.
- Optimized for logic level drive
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dv/dt and di/dt capability
- Drain-to-source breakdown voltage is 40V (min, VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Static drain-to-source on-resistance is 1.0mohm (typ, VGS = 10V, ID = 123A, TJ = 25°C)
- Continuous drain current, VGS at 10V (silicon limited) is 209A (max, TC = 25°C)
- Internal gate resistance is 0.97ohm (typ, TJ = 25°C)
- Forward transconductance is 427S (TJ = 25°C, VDS = 10V, ID = 123A, typ)
- DirectFET® ME package, operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení doby naskladnění, dodací lhůty se mohou měnit
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
209A
Druh Pouzdra Tranzistoru
DirectFET ME
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
104W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napětí Drain Source Vds
40V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
1250µohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
2.5V
Počet Pinů
8Pinů
Produktová Řada
StrongIRFET Series
MSL
MSL 2 - 1 rok
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Mexico
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Mexico
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.0001
Sledovatelnost produktů