Vytisknout stránku
REFSSRACDC2ATOBO1
Reference Board, Coolset, iSSI30R12H, IPT60T022S7, SMPS, Solid-State Isolator, Power Management
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
8 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 859.226 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
859.23 Kč (bez DPH)
poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceREFSSRACDC2ATOBO1
Objednací kód4568162
Technický list
Výrobce ČipuInfineon
Číslo Křemíkového JádraiSSI30R12H, IPT60T022S7
Druh Použití SadySpráva Napájení
Podtyp PoužitíPolovodičový Izolátor
Architektura Jádra-
Podarchitektura Jádra-
Název Rodiny PolovodičeCoolMOS
Složení SadyReference Board XMC1302-T028X0128
Produktová Řada-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Přehled produktu
REFSSRACDC2ATOBO1 is a solid-state relay reference design board. It allows the evaluation AC and DC-type solid-state relays supporting 250V AC or 350V DC operation and 2A nominal current in a compact form factor. The board is compact and features integrated overcurrent and overtemperature protection mechanisms thanks to the innovative isolated EiceDRIVER™ iSSI gate driver with coreless transformer (CT) technology and a CoolMOS™ S7T SJ MOSFET with integrated temperature sensor. Suitable for industrial automation and solid-state relay applications.
- Bidirectional MOSFET switch
- Back-to-back (B2B) CoolMOS™ configuration for bidirectional current blocking capability
- Adjustable input supply voltage
- External TVS clamping diode
- SJ MOSFET w. embedded temperature sensor
- Shunt based overcurrent protection
- Isolated gate driver
- Small form factor with enhanced reliability and safety
- Galvanic isolation up to 5.7KV RMS, fast switch off (<10µs)
- Arc-free switching and no separate output bias supply needed
Technické specifikace
Výrobce Čipu
Infineon
Druh Použití Sady
Správa Napájení
Architektura Jádra
-
Název Rodiny Polovodiče
CoolMOS
Produktová Řada
-
Číslo Křemíkového Jádra
iSSI30R12H, IPT60T022S7
Podtyp Použití
Polovodičový Izolátor
Podarchitektura Jádra
-
Složení Sady
Reference Board XMC1302-T028X0128
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Singapore
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Singapore
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85437090
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000001