Vytisknout stránku
SPB12N50C3
Výkonový MOSFET, N Kanál, 560 V, 11.6 A, 0.38 ohm, TO-263 (D2PAK), Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Již se nevyrábí
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceSPB12N50C3
Objednací kód1664099
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds560V
Trvalý Proud Drainu Id11.6A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.38ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-263 (D2PAK)
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs3V
Rozptýlený Výkon125W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Alternativy pro SPB12N50C3
Nalezené produkty: 2
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
11.6A
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
125W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
Napětí Drain Source Vds
560V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.38ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
3V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
-
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00143