Vytisknout stránku
SPD08N50C3ATMA1
Výkonový MOSFET, N Kanál, 500 V, 7.6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceSPD08N50C3ATMA1
Objednací kód1664112RL
Produktová ŘadaCoolMOS Series
Alternativní označeníSPD08N50C3 , SP001117776
Technický list
1 729 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
Do vyprodání zásob
| Množství | |
|---|---|
| 100+ | 33.954 Kč |
| 250+ | 29.211 Kč |
| 500+ | 15.600 Kč |
| 1000+ | 15.299 Kč |
| 2000+ | 22.172 Kč |
| 5000+ | 21.908 Kč |
| 9000+ | 21.607 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 1
3 515.40 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceSPD08N50C3ATMA1
Objednací kód1664112RL
Produktová ŘadaCoolMOS Series
Alternativní označeníSPD08N50C3 , SP001117776
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds500V
Trvalý Proud Drainu Id7.6A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.6ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-252 (DPAK)
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs3.9V
Rozptýlený Výkon83W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová ŘadaCoolMOS Series
Kvalifikace-
Přehled produktu
The SPD08N50C3 is a CoolMOS™ N-channel Power MOSFET comes with a new revolutionary high voltage technology. It offers ultra-low gate charge and ultra-low effective capacitances. The 500V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the “working horse" of the portfolio.
- Low specific ON-state resistance
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss) @ 400V
- Low gate charge (Qg)
- Field proven CoolMOS™ quality
- High efficiency and power density
- High reliability
- Ease of use
- Periodic avalanche rated
- Extreme dV/dt rated
- Improved transconductance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Green device
Poznámky
Náhrada za 500V CoolMOS™ C3 je 500V CoolMOS™ CE.
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
7.6A
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
83W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
Napětí Drain Source Vds
500V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.6ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
3.9V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
CoolMOS Series
MSL
MSL 1 - Neomezené
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000907
Sledovatelnost produktů