Vytisknout stránku
DE475-102N21A
RF FET Tranzistor, 1 kV, 24 A, 1.8 kW, 30 MHz, DE-475
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Již se nevyrábí
Informace o produktu
VýrobceIXYS RF
Č. dílu výrobceDE475-102N21A
Objednací kód1347742
Technický list
Napětí Drain Source Vds1kV
Trvalý Proud Drainu Id24A
Rozptýlený Výkon1.8kW
Provozní Frekvence Min-
Provozní Frekvence Max30MHz
Druh Pouzdra TranzistoruDE-475
Počet Pinů6Pinů
Provozní Teplota Max175°C
Typ KanáluN Kanál
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Produktová Řada-
Přehled produktu
The DE475-102N21A is a 1000V N-channel Enhancement Mode RF Power MOSFET with low RDS (on) ideal for laser driver, induction heating, switch mode power supplies and switching industrial applications.
- High isolation voltage
- Excellent thermal transfer
- Increased temperature and power cycling capability
- IXYS advanced low Qg process
- Low gate charge and capacitances offer easier to drive and faster switching
- Very low insertion inductance
- No beryllium oxide (BeO) or other hazardous materials
- Easy to mount, no insulators needed
- High power density
Technické specifikace
Napětí Drain Source Vds
1kV
Rozptýlený Výkon
1.8kW
Provozní Frekvence Max
30MHz
Počet Pinů
6Pinů
Typ Kanálu
N Kanál
Produktová Řada
-
Trvalý Proud Drainu Id
24A
Provozní Frekvence Min
-
Druh Pouzdra Tranzistoru
DE-475
Provozní Teplota Max
175°C
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Technické dokumenty (3)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.009253