Vytisknout stránku
MSC060SMB120B4N
MOSFET s Karbidem Křemíku, Jeden, N Kanál, 38 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceMICROCHIP
Č. dílu výrobceMSC060SMB120B4N
Objednací kód4751108
Produktová ŘadamSiC Series
Technický list
120 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 171.046 Kč |
| 25+ | 164.274 Kč |
| 100+ | 157.753 Kč |
| 250+ | 137.188 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
171.05 Kč (bez DPH)
poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceMICROCHIP
Č. dílu výrobceMSC060SMB120B4N
Objednací kód4751108
Produktová ŘadamSiC Series
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluJeden
Typ KanáluN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id38A
Napětí Drain Source Vds1.2kV
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.08ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-247
Počet Pinů4Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs18V
Prahové Napětí Vgs5V
Rozptýlený Výkon192W
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadamSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Přehled produktu
MSC060SMB120B4N is a 1200V, 60mohm silicon carbide (SiC) power MOSFET in a 4-lead TO-247 package. It delivers high efficiency with low switching and conduction losses, fast switching speed, and robust avalanche performance. Designed for high-power and high-temperature applications, it is ideal for use in EV chargers, solar inverters, motor drives, and industrial power supplies.
- Low on-resistance RDS(on) reduces conduction losses, improving efficiency and thermal performance
- Supports high-frequency operation for smaller magnetics, higher power density, and lower cost
- Superior avalanche ruggedness and short-circuit withstand time
- HV-H3TRB proven capability ensures long-term reliability in high humidity environments
- Lower VGS and standard package enables improved compatibility with standard gate drivers
- Increased creepage distance (notch) improves safety and reliability in high-voltage designs
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Jeden
Trvalý Proud Drainu Id
38A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.08ohm
Počet Pinů
4Pinů
Prahové Napětí Vgs
5V
Provozní Teplota Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
1.2kV
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-247
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
18V
Rozptýlený Výkon
192W
Produktová Řada
mSiC Series
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000001