Potřebujete další?
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 174.557 Kč | 
| 10+ | 135.181 Kč | 
| 25+ | 132.673 Kč | 
| 50+ | 130.165 Kč | 
| 100+ | 127.406 Kč | 
| 250+ | 124.898 Kč | 
Informace o produktu
Přehled produktu
IL717-3E má 3-vysílací/1-přijímací kanály na jednosměrném 110Mbaud Vysokorychlostním Digitálním Izolátoru; CMOS zařízení vyrobené s NVE patentovanou IsoLoop® spintronickou obří magneto-resistivní (GMR) technologií. Unikátní keramická/polymerová kompozitní bariéra poskytuje vynikající izolaci a víceméně neomezenou životnost bariéry. Všechny vysílací a přijímací kanály pracují na 110Mbps v plném teplotním a napájecím rozsahu. Symetrická magnetická spojovací bariéra umožňuje typickou dobu propagace pouze 10ns a pulzně šířkové zkreslení 2ns, dosahuje tedy nejlepších specifikací jakéhokoliv izolátoru. Typická imunita proti mžikovým jevům 50kV/µs je nepřekonána. Vysoká hustota kanálů činí toto zařízení ideální pro izolaci ADC a DAC, paralelních sběrnic a periferálních rozhraní.
- Vynikající magnetická imunita
 - Životnost baterie 44000 let
 - Rozsah vysoké teploty -40 až 125 °C
 
Technické specifikace
4Zesilovačů
5.5V
16Pinů
CMOS
Vysokorychlostní CMOS Digitální Izolátor
2500V
100°C
-
3V
SOIC
110Mbps
CMOS
Magnetická
-40°C
-
No SVHC (23-Jan-2024)
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
RoHS
RoHS
Osvědčení o shodě