Vytisknout stránku
BFG21W,115
Bipolární - RF Tranzistor, NPN, 4.5 V, 18 GHz, 600 mW, 500 mA, SOT-343R
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Informace o produktu
VýrobceNXP
Č. dílu výrobceBFG21W,115
Objednací kód1758043
Technický list
Polarita TranzistoruNPN
Napětí Konektor-Emitor Max4.5V
Frekvence Tranzistoru18GHz
Rozptýlený Výkon600mW
Trvalý Proud Kolektoru500mA
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-343R
Počet Pinů3Pinů
DC Zisk Proudu hFE Min40hFE
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Přehled produktu
The BFG21W,115 is an NPN Double Polysilicon Bipolar Power Transistor with buried layer for low voltage medium power applications encapsulated in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343R package. This UHF power transistor is suitable for linear and non-linear operations.
- High power gain
- High efficiency
Technické specifikace
Polarita Tranzistoru
NPN
Frekvence Tranzistoru
18GHz
Trvalý Proud Kolektoru
500mA
Počet Pinů
3Pinů
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Produktová Řada
-
Napětí Konektor-Emitor Max
4.5V
Rozptýlený Výkon
600mW
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-343R
DC Zisk Proudu hFE Min
40hFE
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000006