Vytisknout stránku
BFG425W,115
Bipolární - RF Tranzistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 135 mW, 25 mA, SOT-343R
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Informace o produktu
VýrobceNXP
Č. dílu výrobceBFG425W,115
Objednací kód1758047
Technický list
Polarita TranzistoruNPN
Napětí Konektor-Emitor Max4.5V
Frekvence Tranzistoru25GHz
Rozptýlený Výkon135mW
Trvalý Proud Kolektoru25mA
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-343R
Počet Pinů3Pinů
DC Zisk Proudu hFE Min80hFE
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Přehled produktu
The BFG425W,115 is a NPN double polysilicon Wideband Transistor with buried layer for low voltage applications in a plastic, dual-emitter package. It is designed for use with RF front end, analogue and digital cellular telephones, cordless telephones (PHS, DECT), radar detectors, pagers, SATV tuners and high frequency oscillator applications.
- Very high power gain
- Low noise figure
- High transition frequency
- Emitter is thermal lead
- Low feedback capacitance
Technické specifikace
Polarita Tranzistoru
NPN
Frekvence Tranzistoru
25GHz
Trvalý Proud Kolektoru
25mA
Počet Pinů
3Pinů
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Produktová Řada
-
Napětí Konektor-Emitor Max
4.5V
Rozptýlený Výkon
135mW
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-343R
DC Zisk Proudu hFE Min
80hFE
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000006