Vytisknout stránku
BC856BDW1T1G
Pole Bipolárních Tranzistorů, Všeobecné Použití, Dvojitý PNP, 65 V, 100 mA
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceBC856BDW1T1G
Objednací kód2440799
Produktová ŘadaBCxxx Series
Technický list
18 000 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 3000+ | 0.599 Kč |
| 9000+ | 0.552 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno jako Celá Cívka)
Minimálně: 3000
Více: 3000
1 797.00 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceBC856BDW1T1G
Objednací kód2440799
Produktová ŘadaBCxxx Series
Technický list
Polarita TranzistoruDvojitý PNP
Napětí Kolektor-Emitor Max NPN-
Napětí Kolektor-Emitor Max PNP65V
Trvalý Proud Kolektoru NPN-
Trvalý Proud Kolektoru PNP100mA
Výkonové Ztráty NPN-
Výkonové Ztráty PNP380mW
Zisk DC Proudu hFE Min NPN-
Zisk DC Proudu hFE Min PNP220hFE
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-363
Počet Pinů6Pinů
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Provozní Teplota Max150°C
Frekvence Přechodu NPN-
Frekvence Přechodu PNP100MHz
Produktová ŘadaBCxxx Series
Kvalifikace-
MSLMSL 1 - Neomezené
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
BC856BDW1T1G je pole PNP dvojích bipolárních tranzistorů, navržené pro všeobecné aplikace zesilovače. Je navrženo pro nízkopříkonové, povrchově montované aplikace.
- Bezhalogenový
- Rozsah teploty přechodu -55 až 150 °C
Technické specifikace
Polarita Tranzistoru
Dvojitý PNP
Napětí Kolektor-Emitor Max PNP
65V
Trvalý Proud Kolektoru PNP
100mA
Výkonové Ztráty PNP
380mW
Zisk DC Proudu hFE Min PNP
220hFE
Počet Pinů
6Pinů
Provozní Teplota Max
150°C
Frekvence Přechodu PNP
100MHz
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Napětí Kolektor-Emitor Max NPN
-
Trvalý Proud Kolektoru NPN
-
Výkonové Ztráty NPN
-
Zisk DC Proudu hFE Min NPN
-
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-363
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Frekvence Přechodu NPN
-
Produktová Řada
BCxxx Series
MSL
MSL 1 - Neomezené
Technické dokumenty (2)
Alternativy pro BC856BDW1T1G
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.001