Vytisknout stránku
DTC114EET1G
Bipolární Prebias / Digitální Tranzistor, BRT, Jeden NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
14 920 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 500+ | 1.033 Kč |
| 1500+ | 0.913 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 500
Více: 5
636.50 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceDTC114EET1G
Objednací kód2101802RL
Technický list
Polarita TranzistoruJeden NPN
Napětí Kolektor-Emitor Max NPN50V
Napětí Kolektor-Emitor Max PNP-
Trvalý Proud Kolektoru100mA
Vstupní Rezistor Báze R110kohm
Rezistor Báze-Emitor R210kohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-416
Počet Pinů3 Piny
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rozptýlený Výkon300mW
Provozní Teplota Max150°C
DC Zisk Proudu hFE Min35hFE
Produktová Řada-
Kvalifikace-
MSL-
Přehled produktu
DTC114EET1G je NPN Digitální Tranzistor s monolitickou biasovou rezistorovou sítí, navržený jako náhrada za jedno zařízení a jeho externí biasovou sítí. Tranzistor s biasovou sítí obsahuje jeden tranzistor s monolitickou biasovou sítí, sestávající ze dvou rezistorů, sériový rezistor báze a rezistor báze-emitor. BRT eliminuje tyto individuální komponenty pomocí díky jejich integraci do jednoho zařízení.
- Zjednodušuje design obvodu
- Redukuje místo na desce
- Redukuje počet komponent
Technické specifikace
Polarita Tranzistoru
Jeden NPN
Napětí Kolektor-Emitor Max PNP
-
Vstupní Rezistor Báze R1
10kohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-416
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Provozní Teplota Max
150°C
Produktová Řada
-
MSL
-
Napětí Kolektor-Emitor Max NPN
50V
Trvalý Proud Kolektoru
100mA
Rezistor Báze-Emitor R2
10kohm
Počet Pinů
3 Piny
Rozptýlený Výkon
300mW
DC Zisk Proudu hFE Min
35hFE
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (2)
Alternativy pro DTC114EET1G
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000005
Sledovatelnost produktů