Vytisknout stránku
FDC6401N
Duální MOSFET, N Kanál, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
225 Skladem
3 000 Nyní si můžete rezervovat zásoby na skladě
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 100+ | 10.433 Kč |
| 500+ | 8.076 Kč |
| 1500+ | 7.223 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 5
1 163.30 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFDC6401N
Objednací kód1467966RL
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál20V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál-
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál3A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál-
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.07ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál-
Druh Pouzdra TranzistoruSuperSOT
Počet Pinů6Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál960mW
Výkonové Ztráty P Kanál-
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
The FDC6401N is a dual N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast switching speed. The device is suitable for use with DC-to-DC converters and battery protected applications.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±12V Gate to source voltage
- 3A Continuous drain/output current
- 12A Pulsed drain/output current
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
-
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
-
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
-
Počet Pinů
6Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
-
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
20V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
3A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.07ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SuperSOT
Výkonové Ztráty N Kanál
960mW
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (2)
Alternativy pro FDC6401N
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000363
Sledovatelnost produktů