FDC6420C
Duální MOSFET, Komplementární N a P Kanál, 20 V, 20 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
3 000 Nyní si můžete rezervovat zásoby na skladě
| Množství | |
|---|---|
| 5+ | 20.164 Kč |
| 50+ | 14.973 Kč |
| 100+ | 9.781 Kč |
| 500+ | 7.549 Kč |
| 1500+ | 6.822 Kč |
Informace o produktu
Přehled produktu
FDC6420C je 20 V Dvojí napájecí N-kanálový a P-kanálový PowerTrench® MOSFET, navrženým speciálně pro minimalizaci odporu v zapnutém stavu a pro zachování nízkého náboje hradla pro vynikající spínací výkon. Nejnovější power MOSFET se středním napětím má optimalizované výkonové spínače spolu s malým nábojem hradla (QG), malým nábojem obnovení z reverzace (Qrr) a tělem diody s měkkým obnovením z reverzace, který kombinuje rychlé spínání pro synchronní usměrnění v AC/DC napájecích zdrojích. Využívá strukturu se stíněným hradlem, která poskytuje vyvažování náboje. Využitím této vyspělé technologie je FOM (číslo výhodnosti (QGxRDS(ON))) těchto zařízení je o 66% než u předchozí generace. Jemné tělo diody výkonového PowerTrench® MOSFET je také schopno eliminovat tlumící síť nebo nahradit vyšší jmenovité napětí - MOSFET potřebný obvod, jelikož může minimalizovat nežádoucí napěťové špičky v synchronním usměrnění. Tento produkt je pro všeobecné použití a je vhodný pro mnoho různých úloh.
- Nízký náboj hradla
- Vysoce výkonná Trench technologie pro extrémně nízké RDS (ON)
Technické specifikace
Komplementární N a P Kanál
20V
3A
0.07ohm
6Pinů
960mW
-
MSL 1 - Neomezené
20V
3A
0.07ohm
SuperSOT
960mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
RoHS
RoHS
Osvědčení o shodě