Vytisknout stránku
FDMS3660S
Duální MOSFET, N Kanál, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0013 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
8 571 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 36.366 Kč |
| 10+ | 29.093 Kč |
| 100+ | 24.829 Kč |
| 500+ | 22.647 Kč |
| 1000+ | 19.312 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
36.37 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFDMS3660S
Objednací kód2322592
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál30V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál30V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál60A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál60A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.0013ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.0013ohm
Druh Pouzdra TranzistoruPower 56
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál2.5W
Výkonové Ztráty P Kanál2.5W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
MSLMSL 1 - Neomezené
SVHCLead (27-Jun-2024)
Přehled produktu
The FDMS3660S is a dual N-channel Asymmetric MOSFET suitable for use with computing, general purpose point of load and notebook VCORE applications. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET™ (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.
- Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in lower switching losses
- MOSFET integration enables optimum layout (lower circuit inductance & reduced switch node ringing)
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
30V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
60A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.0013ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
2.5W
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
30V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
60A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.0013ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
Power 56
Výkonové Ztráty N Kanál
2.5W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000113
Sledovatelnost produktů