Vytisknout stránku
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFDP12N50
Objednací kód3616133
Produktová ŘadaUniFET
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds500V
Trvalý Proud Drainu Id11.5A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.55ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-220
Montáž TranzistoruSkrz Desku
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs5V
Rozptýlený Výkon165W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová ŘadaUniFET
Kvalifikace-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
11.5A
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-220
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
165W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
Napětí Drain Source Vds
500V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.55ohm
Montáž Tranzistoru
Skrz Desku
Prahové Napětí Vgs
5V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
UniFET
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.1
Sledovatelnost produktů