Vytisknout stránku
FDS3890
Duální MOSFET, N Kanál, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
1 743 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 61.195 Kč |
| 10+ | 39.626 Kč |
| 100+ | 27.086 Kč |
| 500+ | 21.694 Kč |
| 1000+ | 21.017 Kč |
| 5000+ | 20.164 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
61.20 Kč (bez DPH)
poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFDS3890
Objednací kód2101472
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál80V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál80V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál4.7A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál4.7A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.034ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.034ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOIC
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál2W
Výkonové Ztráty P Kanál2W
Provozní Teplota Max175°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
The FDS3890 is a PowerTrench® dual N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. This MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±20V Gate to source voltage
- 4.7A Continuous drain current
- 20A Pulsed drain current
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
80V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
4.7A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.034ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
2W
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
80V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
4.7A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.034ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOIC
Výkonové Ztráty N Kanál
2W
Provozní Teplota Max
175°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00001
Sledovatelnost produktů