Vytisknout stránku
FQB55N10
Výkonový MOSFET, N Kanál, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
979 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 55.928 Kč |
| 10+ | 40.880 Kč |
| 100+ | 32.102 Kč |
| 500+ | 26.836 Kč |
| 1000+ | 26.334 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 1
Více: 1
55.93 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFQB55N10
Objednací kód9845003
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds100V
Trvalý Proud Drainu Id55A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.026ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-263 (D2PAK)
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs4V
Rozptýlený Výkon155W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max175°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Přehled produktu
FQB55N10 je QFET® N-kanálový výkonový MOSFET v režimu doplnění, vyráběný technologií planárních pásů a DMOS technologií. Tato vyspělá MOSFET technologie byla speciálně připravena pro redukci odporu v zapnutém stavu, nabízí vynikající spínací výkon a vysokou pevnost proti lavinové energii. Je vhodný pro spínané napájecí zdroje, aktivní korekcí účiníku (PFC) a elektronické tlumivky lamp.
- 100 % Lavinově testováno
- 75nC typický nízký náboj hradla
- 130pF typické nízké Crss
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení dodacích lhůt. Dodací lhůty se mohou měnit. Na produkt se nevztahují slevy.
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
55A
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
155W
Provozní Teplota Max
175°C
Kvalifikace
-
Napětí Drain Source Vds
100V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.026ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
4V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (1)
Alternativy pro FQB55N10
Nalezené produkty: 7
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:South Korea
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:South Korea
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.002267