Vytisknout stránku
MICROFJ-60035-TSV-TR1
Křemíkový Fotonásobič (SiPM), J-Série, 6mmx6mm, 35µm/22292 Mikrobuněk, 420nm, ODCSP-36
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceMICROFJ-60035-TSV-TR1
Objednací kód2949101
Produktová ŘadaJ-Series SiPM Sensor
Technický list
K dispozici pro objednání
Obvyklá doba realizace výrobce Počet týdnů: 8
Upozorněte mě při naskladnění
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 1 948.967 Kč |
| 5+ | 1 863.444 Kč |
| 10+ | 1 777.921 Kč |
| 25+ | 1 742.308 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 1
Více: 1
1 948.97 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceMICROFJ-60035-TSV-TR1
Objednací kód2949101
Produktová ŘadaJ-Series SiPM Sensor
Technický list
Produktová ŘadaJ-Series SiPM Sensor
Typ SenzoruSilicon Photomultiplier
Formát Pole-
Aktivní Oblast6mm x 6mm
Počet Mikrobuněk22292Microcells
Rozměry Desky6.13mm x 6.13mm
Velikost Mikrobuňky35µm
Druh Pouzdra SenzoruODCSP
Špičková Vlnová Délka Typ420nm
Tělo / Pouzdro SenzoruODCSP
Počet Pinů36Pinů
Provozní Teplota Min-40°C
Provozní Teplota Max85°C
Kvalifikace-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Přehled produktu
ON Semiconductor J-série senzorů slabého osvětlení nabízí vysoké PDE (účinnost detekce foton§), které je dosaženo použitím vysoko-objemového, P-na-N procesu křemíkové pece. J-série senzorů zahrnuje nejnovější zlepšení v rozptylu doby přechodu, což vyúsťuje ve značné zlepšení výkonu časování senzoru. J-série senzorů je k dispozici v různých velikostech (3 mm, 4 mm a 6 mm) a využívá TSV (stopa skrz křemík) proces pro vytvoření místa s minimem nevyužitého prostoru, které je kompatibilní s průmyslově standardním, bezolovnatým reflow procesem.
- Vysoká hustota mikrobuněk
- J-série senzorů nabízí ON Semiconductor unikátní „fast output" terminál
- Stabilita teploty 21,5 mV/°C
- Vynikající jednotnost průrazného napětí ±250 mV
- Dostupné v s reflow pájení kompatibilním TSV čipovém pouzdře
- Ultra-nízký temný proud s četností 50 kHz/mm2 typicky
- Optimalizováno pro vysoce výkonné časovací aplikace, jako ToF-PET
- Biasové napětí nižší než 30 V
- Velikosti senzoru 3 mm, 4 mm a 6 mm
Technické specifikace
Produktová Řada
J-Series SiPM Sensor
Formát Pole
-
Počet Mikrobuněk
22292Microcells
Velikost Mikrobuňky
35µm
Špičková Vlnová Délka Typ
420nm
Počet Pinů
36Pinů
Provozní Teplota Max
85°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Typ Senzoru
Silicon Photomultiplier
Aktivní Oblast
6mm x 6mm
Rozměry Desky
6.13mm x 6.13mm
Druh Pouzdra Senzoru
ODCSP
Tělo / Pouzdro Senzoru
ODCSP
Provozní Teplota Min
-40°C
Kvalifikace
-
Technické dokumenty (2)
Související produkty
Nalezené produkty: 2
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Thailand
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Thailand
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00063
Sledovatelnost produktů