Vytisknout stránku
MJD122G
Darlingtonův Tranzistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pinů
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
4 792 Skladem
3 450 Nyní si můžete rezervovat zásoby na skladě
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 32.102 Kč |
| 10+ | 20.641 Kč |
| 100+ | 12.741 Kč |
| 500+ | 12.264 Kč |
| 1000+ | 11.763 Kč |
| 5000+ | 11.211 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
32.10 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceMJD122G
Objednací kód9557075
Technický list
Polarita TranzistoruNPN
Napětí Kolektor Emitor V(br)ceo100V
Výkonové Ztráty Pd1.75W
DC Kolektorový Proud8A
Druh Pouzdra TranzistoruTO-252 (DPAK)
Pouzdro RF TranzistoruTO-252 (DPAK)
Počet Pinů3Pinů
DC Proudový Zisk hFE12hFE
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
KvalifikaceAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Přehled produktu
The MJD122G is a 100V Silicon NPN Bipolar Complementary Darlington Power Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Thins transistor is surface mount replacements for 2N6040-2N6045 series, TIP120-TIP122 series and TIP125-TIP127 series as well has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
- Lead formed for surface mount applications in plastic sleeves
- High DC current gain
- Epoxy meets UL 94V-0 rating
- AEC-Q101 qualified
Technické specifikace
Polarita Tranzistoru
NPN
Výkonové Ztráty Pd
1.75W
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-252 (DPAK)
Počet Pinů
3Pinů
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Produktová Řada
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Napětí Kolektor Emitor V(br)ceo
100V
DC Kolektorový Proud
8A
Pouzdro RF Tranzistoru
TO-252 (DPAK)
DC Proudový Zisk hFE
12hFE
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
AEC-Q101
Technické dokumenty (3)
Alternativy pro MJD122G
Nalezené produkty: 5
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Vietnam
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Vietnam
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.0004
Sledovatelnost produktů