Vytisknout stránku
MMBTA14LT1G
Darlingtonův Tranzistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pinů
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
105 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 500+ | 1.347 Kč |
| 1500+ | 1.179 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 500
Více: 5
793.50 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceMMBTA14LT1G
Objednací kód2317594RL
Technický list
Polarita TranzistoruNPN
Napětí Konektor-Emitor Max30V
Napětí Kolektor Emitor V(br)ceo30V
Výkonové Ztráty Pd225mW
Trvalý Proud Kolektoru300mA
Rozptýlený Výkon225mW
DC Kolektorový Proud300mA
Pouzdro RF TranzistoruSOT-23
Počet Pinů3Pinů
DC Proudový Zisk hFE20000hFE
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Provozní Teplota Max150°C
DC Zisk Proudu hFE Min10000hFE
Produktová Řada-
KvalifikaceAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
MMBTA14LT1G je NPN bipolární Darlingtonův Tranzistor navržený pro použití ve spínacích aplikacích, jako například budič kladívka tiskárny, relé, solenoidu a lampy. Zařízení je umístěno v pouzdře, které je navrženo pro povrchově montované aplikace s nižším výkonem.
- Nízký RDS (ON) poskytuje vyšší účinnost a prodlužuje životnost baterie
- Šetří místo na desce
- AEC-Q101 kvalifikováno a PPAP schopno
Technické specifikace
Polarita Tranzistoru
NPN
Napětí Kolektor Emitor V(br)ceo
30V
Trvalý Proud Kolektoru
300mA
DC Kolektorový Proud
300mA
Počet Pinů
3Pinů
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
DC Zisk Proudu hFE Min
10000hFE
Kvalifikace
AEC-Q101
Napětí Konektor-Emitor Max
30V
Výkonové Ztráty Pd
225mW
Rozptýlený Výkon
225mW
Pouzdro RF Tranzistoru
SOT-23
DC Proudový Zisk hFE
20000hFE
Provozní Teplota Max
150°C
Produktová Řada
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000033
Sledovatelnost produktů