Vytisknout stránku
NCV8403ASTT1G
Budič Hradla, 1 Zesilovačů, Low Side, MOSFET, 4 Pinů, SOT-223
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
K dispozici pro objednání
Obvyklá doba realizace výrobce Počet týdnů: 18
Upozorněte mě při naskladnění
| Množství | |
|---|---|
| 1000+ | 14.095 Kč |
| 3000+ | 13.819 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno jako Celá Cívka)
Minimálně: 1000
Více: 1000
14 095.00 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceNCV8403ASTT1G
Objednací kód2985493
Technický list
Počet Kanálů1Zesilovačů
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds46VDC
Typ Budiče Hradla-
Konfigurace BudičeLow Side
Trvalý Proud Drainu Id15A
Typ Výkonového SpínačeMOSFET
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.053ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-223
Počet Pinů4Pinů
Pouzdro IOSOT-223
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Montáž IOPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10VDC
Typ Vstupu-
Prahové Napětí Vgs1.7VDC
Rozptýlený Výkon1.56W
Proud Zdroje-
Proud Spotřebiče-
Napájecí Napětí Min-
Napájecí Napětí Max-
Provozní Teplota Min-40°C
Provozní Teplota Max150°C
Vstupní Prodleva-
Výstupní Prodleva-
Produktová Řada-
KvalifikaceAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Přehled produktu
The NCV8403ASTT1G is a self-protected Low Side Driver with temperature and current limit. The 3-terminal protected low-side smart discrete device features overcurrent, over-temperature, ESD and integrated drain-to-gate clamping for over-voltage protection.
- Short-circuit protection
- Thermal shutdown with automatic restart
- Over-voltage protection
- Integrated clamp for inductive switching
- ESD protected
- dV/dt robustness
- Analogue drive capability (logic level input)
Technické specifikace
Počet Kanálů
1Zesilovačů
Napětí Drain Source Vds
46VDC
Konfigurace Budiče
Low Side
Typ Výkonového Spínače
MOSFET
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-223
Pouzdro IO
SOT-223
Montáž IO
Povrchová Montáž
Typ Vstupu
-
Rozptýlený Výkon
1.56W
Proud Spotřebiče
-
Napájecí Napětí Max
-
Provozní Teplota Max
150°C
Výstupní Prodleva
-
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ Kanálu
N Kanál
Typ Budiče Hradla
-
Trvalý Proud Drainu Id
15A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.053ohm
Počet Pinů
4Pinů
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10VDC
Prahové Napětí Vgs
1.7VDC
Proud Zdroje
-
Napájecí Napětí Min
-
Provozní Teplota Min
-40°C
Vstupní Prodleva
-
Produktová Řada
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (2)
Alternativy pro NCV8403ASTT1G
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000181
Sledovatelnost produktů