Vytisknout stránku
NDC7001C
Duální MOSFET, Komplementární N a P Kanál, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
31 193 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 100+ | 6.345 Kč |
| 500+ | 4.464 Kč |
| 1000+ | 3.938 Kč |
| 5000+ | 3.411 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 5
754.50 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceNDC7001C
Objednací kód9844872RL
Technický list
Typ KanáluKomplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál50V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál50V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál340mA
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál340mA
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál1ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál1ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSuperSOT
Počet Pinů6Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál700mW
Výkonové Ztráty P Kanál700mW
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
NDC7001C je dvojí N/P-kanálový FET v režimu obohacení, vyrobený pomocí DMOS technologie s vysokou hustotou buněk. Tento velmi vysokohustotní proces je obzvláště navržen pro minimalizaci odporu při zapnutí, poskytuje odolný a spolehlivý výkon a rychlé spínání. Toto zařízení je obzvláště vhodné pro nízkonapěťové a slaboproudé aplikace, spínání a napájecí zdroje.
- Vysoký saturační proud
- Vysokohustotní design buňky pro nízké RDS(ON)
- Design pomocí měděného rámu vývodů pro vynikajíc tepelné a elektrické schopnosti
Technické specifikace
Typ Kanálu
Komplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
50V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
340mA
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
1ohm
Počet Pinů
6Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
700mW
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
50V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
340mA
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
1ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SuperSOT
Výkonové Ztráty N Kanál
700mW
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (2)
Související produkty
Nalezené produkty: 2
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00004
Sledovatelnost produktů