Vytisknout stránku
NVBG020N120SC1
MOSFET s Karbidem Křemíku, EliteSiC, Jeden, N Kanál, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceNVBG020N120SC1
Objednací kód3265484
Produktová ŘadaEliteSiC Series
Technický list
716 Skladem
Potřebujete další?
.
.
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 1 059.881 Kč |
| 5+ | 953.792 Kč |
| 10+ | 827.891 Kč |
| 50+ | 811.338 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 1
Více: 1
1 059.88 Kč (bez DPH)
poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceNVBG020N120SC1
Objednací kód3265484
Produktová ŘadaEliteSiC Series
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluJeden
Typ KanáluN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id98A
Napětí Drain Source Vds1.2kV
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.02ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-263 (D2PAK)
Počet Pinů7Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs20V
Prahové Napětí Vgs2.7V
Rozptýlený Výkon468W
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Přehled produktu
NVBG020N120SC1 je křemík-karbidový (SIC) MOSFET. Typické aplikace jsou automobilová palubní nabíječka, automobilový DC-DC měnič pro EV/HEV.
- AEC-Q101 kvalifikováno a PPAP schopno
- 100 % Lavinově testováno
- Malá efektivní výstupní kapacita (typ. Coss = 258pF)
- Napětí drain-source je 1200 V při TJ = 25 °C
- Trvalý proud drainu je 98 A při TC = 25 °C
- Výkonové ztráty jsou 3,7 W při TC = 25 °C
- Schopnost jednoho pulzu přívalu proudu drainu je 807 A při TA = 25 °C tp = 10 µs, RG = 4.7ohm
- Rozsah provozní teploty přechodu a úložiště od -55 do +175 °C
- D2PAK-7L pouzdro
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Jeden
Trvalý Proud Drainu Id
98A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.02ohm
Počet Pinů
7Pinů
Prahové Napětí Vgs
2.7V
Provozní Teplota Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
1.2kV
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
20V
Rozptýlený Výkon
468W
Produktová Řada
EliteSiC Series
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000024
Sledovatelnost produktů