Vytisknout stránku
NVBG080N120SC1
MOSFET s Karbidem Křemíku, EliteSiC, Jeden, N Kanál, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceNVBG080N120SC1
Objednací kód3528514RL
Produktová ŘadaEliteSiC Series
Technický list
1 332 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 10+ | 276.632 Kč |
| 50+ | 276.131 Kč |
| 100+ | 212.177 Kč |
| 250+ | 207.913 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 10
Více: 1
2 886.32 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceNVBG080N120SC1
Objednací kód3528514RL
Produktová ŘadaEliteSiC Series
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluJeden
Typ KanáluN Kanál
Polarita TranzistoruN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id30A
Napětí Drain Source Vds1.2kV
Rezistence při Zapnutí Rds(on)0.08ohm
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.08ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-263HV (D2PAK)
Počet Pinů7Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs20V
Prahové Napětí Vgs3V
Výkonové Ztráty Pd179W
Rozptýlený Výkon179W
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaEliteSiC Series
MSLMSL 1 - Neomezené
SVHCLead (27-Jun-2024)
Přehled produktu
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení dodacích lhůt. Dodací lhůty se mohou měnit. Na produkt se nevztahují slevy.
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Jeden
Polarita Tranzistoru
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
1.2kV
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.08ohm
Počet Pinů
7Pinů
Prahové Napětí Vgs
3V
Rozptýlený Výkon
179W
Produktová Řada
EliteSiC Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
30A
Rezistence při Zapnutí Rds(on)
0.08ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
20V
Výkonové Ztráty Pd
179W
Provozní Teplota Max
175°C
MSL
MSL 1 - Neomezené
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.001845
Sledovatelnost produktů