Vytisknout stránku
NVMFSW6D1N08HT1G
Výkonový MOSFET, N Kanál, 80 V, 89 A, 5500 µohm, SO-8 FL, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
K dispozici pro objednání
Obvyklá doba realizace výrobce Počet týdnů: 20
| Množství | |
|---|---|
| 1500+ | 14.170 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno jako Celá Cívka)
Minimálně: 1500
Více: 1500
21 255.00 Kč (bez DPH)
poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceNVMFSW6D1N08HT1G
Objednací kód3616742
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds80V
Trvalý Proud Drainu Id89A
Odpor Drain-Source při Zapnutí5500µohm
Druh Pouzdra TranzistoruSO-8 FL
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs4V
Rozptýlený Výkon104W
Počet Pinů8Pinů
Provozní Teplota Max175°C
Produktová Řada-
KvalifikaceAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
89A
Druh Pouzdra Tranzistoru
SO-8 FL
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
104W
Provozní Teplota Max
175°C
Kvalifikace
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Napětí Drain Source Vds
80V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
5500µohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
4V
Počet Pinů
8Pinů
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.1
Sledovatelnost produktů