Vytisknout stránku
2SK3666-2-TB-E.
JFET Tranzistor, -30 V, 1.5 mA, -950 mV, SOT-23, 3 Piny, 150 °C
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobce2SK3666-2-TB-E.
Objednací kód2774812
Produktová ŘadaCompute Module 3+ Series
Technický list
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobce2SK3666-2-TB-E.
Objednací kód2774812
Produktová ŘadaCompute Module 3+ Series
Technický list
Průrazné Napětí Gate-Source Max-30V
Proud Drainu Při Nulovém Nap Hradla Idss Min600µA
Proud Drainu Při Nulovém Nap Hradla Max1.5mA
Vypínací Napětí Gate-Source Max-950mV
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-23
Provozní Teplota Max150°C
Druh TranzistoruJFET
Počet Pinů3 Piny
Typ KanáluN Kanál
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Produktová ŘadaCompute Module 3+ Series
Kvalifikace-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2020)
Technické specifikace
Průrazné Napětí Gate-Source Max
-30V
Proud Drainu Při Nulovém Nap Hradla Max
1.5mA
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-23
Druh Tranzistoru
JFET
Typ Kanálu
N Kanál
Produktová Řada
Compute Module 3+ Series
MSL
MSL 1 - Neomezené
Proud Drainu Při Nulovém Nap Hradla Idss Min
600µA
Vypínací Napětí Gate-Source Max
-950mV
Provozní Teplota Max
150°C
Počet Pinů
3 Piny
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2020)
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2020)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00007
Sledovatelnost produktů