Vytisknout stránku
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFDD10N20LZTM
Objednací kód2825151RL
Produktová ŘadaUniFET
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds200V
Trvalý Proud Drainu Id7.6A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.3ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-252 (DPAK)
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs3V
Rozptýlený Výkon83W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová ŘadaUniFET
Kvalifikace-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Přehled produktu
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení dodacích lhůt. Dodací lhůty se mohou měnit. Na produkt se nevztahují slevy.
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
7.6A
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
83W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Napětí Drain Source Vds
200V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.3ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
3V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
UniFET
MSL
MSL 1 - Neomezené
Technické dokumenty (3)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.0004
Sledovatelnost produktů