Vytisknout stránku
FDD13AN06A0
Výkonový MOSFET, N Kanál, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
K dispozici pro objednání
Obvyklá doba realizace výrobce Počet týdnů: 22
Upozorněte mě při naskladnění
| Množství | |
|---|---|
| 2500+ | 19.888 Kč |
| 7500+ | 19.487 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno jako Celá Cívka)
Minimálně: 2500
Více: 2500
49 720.00 Kč (bez DPH)
poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFDD13AN06A0
Objednací kód4319641
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds60V
Trvalý Proud Drainu Id50A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.0135ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-252AA
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs4V
Rozptýlený Výkon115W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max175°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
50A
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-252AA
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
115W
Provozní Teplota Max
175°C
Kvalifikace
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Napětí Drain Source Vds
60V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.0135ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
4V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000531
Sledovatelnost produktů