Vytisknout stránku
FDS4559
Duální MOSFET, Komplementární N a P Kanál, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
4 100 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 5+ | 31.350 Kč |
| 50+ | 19.888 Kč |
| 100+ | 13.142 Kč |
| 500+ | 10.333 Kč |
| 1000+ | 9.330 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 5
Více: 5
156.75 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFDS4559
Objednací kód1471052
Technický list
Typ KanáluKomplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál60V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál60V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál4.5A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál4.5A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.055ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.055ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOIC
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál2W
Výkonové Ztráty P Kanál2W
Provozní Teplota Max175°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
FDS4559 je komplementární MOSFET zařízení, vyrobené pomocí vyspělého PowerTrench procesu, který byl navržen obzvláště pro minimalizaci odporu při zapnutí, avšak zachovává nízký náboj hradla pro vynikající spínací výkon. Vhodný pro invertor podsvícení pro LCD.
Technické specifikace
Typ Kanálu
Komplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
60V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
4.5A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.055ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
2W
Produktová Řada
-
MSL
-
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
60V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
4.5A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.055ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOIC
Výkonové Ztráty N Kanál
2W
Provozní Teplota Max
175°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (3)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000209