Vytisknout stránku
NDT451AN
Výkonový MOSFET, N Kanál, 30 V, 7.2 A, 0.035 ohm, SOT-223, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
5 653 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 33.858 Kč |
| 10+ | 23.375 Kč |
| 100+ | 17.155 Kč |
| 500+ | 12.690 Kč |
| 1000+ | 12.139 Kč |
| 5000+ | 10.584 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
33.86 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceNDT451AN
Objednací kód2101425
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds30V
Trvalý Proud Drainu Id7.2A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.035ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-223
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs1.6V
Rozptýlený Výkon1.1W
Počet Pinů4Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Přehled produktu
NDT451AN je N-kanálový výkonový FET v režimu obohacení, vyrobený pomocí DMOS technologie s vysokou hustotou buněk. Tento velmi vysokohustotní proces je obzvláště přizpůsoben pro minimalizaci odporu při zapnutí a poskytuje vynikající spínací výkon. Je obzvláště vhodný pro nízkonapěťové aplikace, jako DC-DC převod, kde je potřeba rychlé spínání, nízké přímé výkonové ztráty a odolnost vůči mžikovým jevům.
- Vysokohustotní design buňky pro extrémně nízké RDS (ON)
- Schopnost zpracovávat vysoký výkon a proud v často použitém, povrchově montovaném pouzdře
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení dodacích lhůt. Dodací lhůty se mohou měnit. Na produkt se nevztahují slevy.
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
7.2A
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-223
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
1.1W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Napětí Drain Source Vds
30V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.035ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
1.6V
Počet Pinů
4Pinů
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Technické dokumenty (3)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000454
Sledovatelnost produktů