Vytisknout stránku
R1LV0108ESA-5SI#B1
SRAM, Asynchronní SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8bit, STSOP, 32 Pinů, 2.7 V
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
224 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 65.208 Kč |
| 10+ | 57.182 Kč |
| 25+ | 54.925 Kč |
| 50+ | 52.668 Kč |
| 100+ | 49.658 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
65.21 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceRENESAS
Č. dílu výrobceR1LV0108ESA-5SI#B1
Objednací kód4146921
Technický list
Typ SRAMAsynchronní SRAM, LPSRAM
Hustota Paměti1Mbit
Konfigurace Paměti128Kword x 8bit
Pouzdro IOSTSOP
Počet Pinů32Pinů
Napájecí Napětí Min2.7V
Napájecí Napětí Max3.6V
Napájecí Napětí Nom3V
Hodinová Frekvence Max-
Montáž IOPovrchová Montáž
Provozní Teplota Min-40°C
Provozní Teplota Max85°C
Produktová Řada-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
R1LV0108ESA-5SI#B1 is a 1Mb advanced LPSRAM (128k word x 8bit). The R1LV0108E series low voltage 1-Mbit static RAM organized as 131, 072-word by 8-bit, fabricated by Renesas’s high-performance 0.15um CMOS and TFT technologies. The R1LV0108E series has realized higher density, higher performance and low power consumption. The R1LV0108E series is suitable for memory applications where a simple interfacing, battery operating and battery backup are the important design objectives.
- Single 2.7V to 3.6V power supply
- Small stand-by current is 0.6µA (3.0V, typical)
- No clocks, no refresh
- All inputs and outputs are TTL compatible
- Easy memory expansion by CS1# and CS2
- Common data I/O
- Three-state outputs: OR-tie capability
- OE# prevents data contention on the I/O bus
- 55ns access time
- 32-pin plastic sTSOP package, -40 to +85°C temperature range
Technické specifikace
Typ SRAM
Asynchronní SRAM, LPSRAM
Konfigurace Paměti
128Kword x 8bit
Počet Pinů
32Pinů
Napájecí Napětí Max
3.6V
Hodinová Frekvence Max
-
Provozní Teplota Min
-40°C
Produktová Řada
-
Hustota Paměti
1Mbit
Pouzdro IO
STSOP
Napájecí Napětí Min
2.7V
Napájecí Napětí Nom
3V
Montáž IO
Povrchová Montáž
Provozní Teplota Max
85°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Taiwan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Taiwan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000001
Sledovatelnost produktů