Vytisknout stránku
TP65H100G4LSGB-TR
Tranzistor z Nitridu Galia (GaN), 650 V, 18.9 A, 0.11 ohm, 14.4 nC, PQFN, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
3 000 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 100+ | 82.262 Kč |
| 500+ | 72.732 Kč |
| 1000+ | 63.202 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 150
Více: 1
12 339.30 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceRENESAS
Č. dílu výrobceTP65H100G4LSGB-TR
Objednací kód4680951RL
Technický list
Napětí Drain Source Vds650V
Trvalý Proud Drainu Id18.9A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.11ohm
Náboj Hradla Typ (Qg)14.4nC
Počet Pinů8Pinů
Technické specifikace
Napětí Drain Source Vds
650V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.11ohm
Počet Pinů
8Pinů
Trvalý Proud Drainu Id
18.9A
Náboj Hradla Typ (Qg)
14.4nC
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000001