Vytisknout stránku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
4 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
Množství | |
---|---|
1+ | 45 720.840 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
45 720.84 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceROHM
Č. dílu výrobceBSM400D12P2G003
Objednací kód3573228
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluHalf Bridge
Typ KanáluDvojí N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id400A
Napětí Drain Source Vds1.2kV
Odpor Drain-Source při Zapnutí-ohm
Druh Pouzdra TranzistoruModule
Počet Pinů-Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs-V
Prahové Napětí Vgs4V
Rozptýlený Výkon2.45kW
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Přehled produktu
BSM400D12P2G003 is a SiC power module. This product is a half bridge module consisting of SiC-DMOSFET and SiC-SBD. Application includes motor drive, inverter, converter, photovoltaics, wind power generation, induction heating equipment.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 2.3V on-state static drain-source voltage (typ, Tj=25°C, ID=400A, VGS=18V)
- 397A drain current (DC(Tc=60°C) VGS=18V)
- 4mA drain cut-off current (max, VDS=1200V, VGS=0V, Tj=25°C)
- 1.8V source-drain voltage (typ, VGS=0V, IS=400A, Tj=25°C)
- 38nF input capacitance (typ, VDS=10V, VGS=0V,200KHz, Tj=25°C)
- 2500Vrms isolation voltage (terminals to baseplate f = 60Hz AC 1 min, Tj = 25°C)
- Junction temperature range from -40 to 150°C
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Half Bridge
Trvalý Proud Drainu Id
400A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
-ohm
Počet Pinů
-Pinů
Prahové Napětí Vgs
4V
Provozní Teplota Max
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Typ Kanálu
Dvojí N Kanál
Napětí Drain Source Vds
1.2kV
Druh Pouzdra Tranzistoru
Module
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
-V
Rozptýlený Výkon
2.45kW
Produktová Řada
-
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Japan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Japan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.28