Vytisknout stránku
BSM400D12P3G002
MOSFET s Karbidem Křemíku, Half Bridge, Dvojí N Kanál, 400 A, 1.2 kV, Module
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
4 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 27 161.640 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
27 161.64 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceROHM
Č. dílu výrobceBSM400D12P3G002
Objednací kód3573231
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluHalf Bridge
Typ KanáluDvojí N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id400A
Napětí Drain Source Vds1.2kV
Odpor Drain-Source při Zapnutí-
Druh Pouzdra TranzistoruModule
Počet Pinů-
Rds(on) Testovací Napětí Vgs-
Prahové Napětí Vgs5.6V
Rozptýlený Výkon1.57kW
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Half Bridge
Trvalý Proud Drainu Id
400A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
-
Počet Pinů
-
Prahové Napětí Vgs
5.6V
Provozní Teplota Max
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Typ Kanálu
Dvojí N Kanál
Napětí Drain Source Vds
1.2kV
Druh Pouzdra Tranzistoru
Module
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
-
Rozptýlený Výkon
1.57kW
Produktová Řada
-
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Japan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Japan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.28