Vytisknout stránku
SKM100GAL12T4
IGBT Modul, Jeden, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Module
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
K dispozici pro objednání
Obvyklá doba realizace výrobce Počet týdnů: 26
Upozorněte mě při naskladnění
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 2 094.180 Kč |
| 5+ | 1 942.948 Kč |
| 10+ | 1 765.632 Kč |
| 50+ | 1 701.427 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
2 094.18 Kč (bez DPH)
poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceSEMIKRON
Č. dílu výrobceSKM100GAL12T4
Objednací kód2423679
Technický list
Polarita TranzistoruN Kanál
IGBT KonfiguraceJeden
Trvalý Proud Kolektoru160A
DC Kolektorový Proud160A
Saturační Napětí Kolektor-Emitor1.8V
Saturační Napětí Kolektor Emitor Vce(on)1.8V
Rozptýlený Výkon-
Výkonové Ztráty Pd-
Teplota Přechodu Tj @ Max175°C
Napětí Kolektor Emitor V(br)ceo1.2kV
Provozní Teplota Max175°C
Druh Pouzdra TranzistoruModule
Počet Pinů7Pinů
IGBT ZakončeníZávit
Napětí Konektor-Emitor Max1.2kV
IGBT TechnologieIGBT 4 Rychlý [Trench]
Montáž TranzistoruPanel
Produktová Řada-
Přehled produktu
The SKM100GAL12T4 is a SEMITRANS® 2 IGBT Module for use with electronic welders at fsw up to 20kHz and brake chopper. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Single switch
- IGBT4 = 4th generation fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- UL recognized, file number E63532
Technické specifikace
Polarita Tranzistoru
N Kanál
Trvalý Proud Kolektoru
160A
Saturační Napětí Kolektor-Emitor
1.8V
Rozptýlený Výkon
-
Teplota Přechodu Tj @ Max
175°C
Provozní Teplota Max
175°C
Počet Pinů
7Pinů
Napětí Konektor-Emitor Max
1.2kV
Montáž Tranzistoru
Panel
IGBT Konfigurace
Jeden
DC Kolektorový Proud
160A
Saturační Napětí Kolektor Emitor Vce(on)
1.8V
Výkonové Ztráty Pd
-
Napětí Kolektor Emitor V(br)ceo
1.2kV
Druh Pouzdra Tranzistoru
Module
IGBT Zakončení
Závit
IGBT Technologie
IGBT 4 Rychlý [Trench]
Produktová Řada
-
Technické dokumenty (2)
Související produkty
Nalezené produkty: 4
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Slovak Republic
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Slovak Republic
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.18
Sledovatelnost produktů