Vytisknout stránku
SKM150GB12T4
IGBT Modul, Half Bridge, 232 A, 1.8 V, 175 °C, Module
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
51 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 3 394.076 Kč |
| 5+ | 3 149.045 Kč |
| 10+ | 2 861.628 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
3 394.08 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceSEMIKRON
Č. dílu výrobceSKM150GB12T4
Objednací kód2423687
Technický list
Polarita TranzistoruDvojitý N Kanál
IGBT KonfiguraceHalf Bridge
DC Kolektorový Proud232A
Trvalý Proud Kolektoru232A
Saturační Napětí Kolektor Emitor Vce(on)1.8V
Saturační Napětí Kolektor-Emitor1.8V
Výkonové Ztráty Pd-
Rozptýlený Výkon-
Provozní Teplota Max175°C
Teplota Přechodu Tj @ Max175°C
Napětí Kolektor Emitor V(br)ceo1.2kV
Druh Pouzdra TranzistoruModule
IGBT ZakončeníZávit
Počet Pinů7Pinů
Napětí Konektor-Emitor Max1.2kV
IGBT TechnologieIGBT 4 Rychlý [Trench]
Montáž TranzistoruPanel
Produktová Řada-
Přehled produktu
The SKM150GB12T4 is a SEMITRANS® 2 IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders at fsw up to 20kHz. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- UL recognized, file number E63532
Technické specifikace
Polarita Tranzistoru
Dvojitý N Kanál
DC Kolektorový Proud
232A
Saturační Napětí Kolektor Emitor Vce(on)
1.8V
Výkonové Ztráty Pd
-
Provozní Teplota Max
175°C
Napětí Kolektor Emitor V(br)ceo
1.2kV
IGBT Zakončení
Závit
Napětí Konektor-Emitor Max
1.2kV
Montáž Tranzistoru
Panel
IGBT Konfigurace
Half Bridge
Trvalý Proud Kolektoru
232A
Saturační Napětí Kolektor-Emitor
1.8V
Rozptýlený Výkon
-
Teplota Přechodu Tj @ Max
175°C
Druh Pouzdra Tranzistoru
Module
Počet Pinů
7Pinů
IGBT Technologie
IGBT 4 Rychlý [Trench]
Produktová Řada
-
Technické dokumenty (2)
Alternativy pro SKM150GB12T4
Nalezené produkty: 4
Související produkty
Nalezené produkty: 4
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Slovak Republic
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Slovak Republic
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.18
Sledovatelnost produktů