Vytisknout stránku
SKM200GB125D
IGBT Modul, Half Bridge, 200 A, 3.3 V, 150 °C, Module
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
16 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 8 291.699 Kč |
| 5+ | 8 125.920 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
8 291.70 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceSEMIKRON
Č. dílu výrobceSKM200GB125D
Objednací kód2423692
Technický list
Polarita TranzistoruDvojitý N Kanál
IGBT KonfiguraceHalf Bridge
Trvalý Proud Kolektoru200A
DC Kolektorový Proud200A
Saturační Napětí Kolektor Emitor Vce(on)3.3V
Saturační Napětí Kolektor-Emitor3.3V
Rozptýlený Výkon-
Výkonové Ztráty Pd-
Napětí Kolektor Emitor V(br)ceo1.2kV
Provozní Teplota Max150°C
Teplota Přechodu Tj @ Max150°C
Druh Pouzdra TranzistoruModule
IGBT ZakončeníZávit
Počet Pinů7Pinů
Napětí Konektor-Emitor Max1.2kV
IGBT TechnologieNPT IGBT [Ultrarychlý]
Montáž TranzistoruPanel
Produktová Řada-
Přehled produktu
The SKM200GB125D is a SEMITRANS® 3 ultrafast IGBT Module for use with inductive heating and resonant inverters up to 100kHz. It features isolated copper base plate using DCB (Direct Copper Bonding) technology and short tail current with low temperature dependence.
- Half-bridge switch
- N channel, homogeneous Si
- Low inductance case
- High short-circuit capability, self limiting to 6 x IC
- Fast and soft inverse CAL diodes
- Large clearance (13mm) and creepage distance (20mm)
Technické specifikace
Polarita Tranzistoru
Dvojitý N Kanál
Trvalý Proud Kolektoru
200A
Saturační Napětí Kolektor Emitor Vce(on)
3.3V
Rozptýlený Výkon
-
Napětí Kolektor Emitor V(br)ceo
1.2kV
Teplota Přechodu Tj @ Max
150°C
IGBT Zakončení
Závit
Napětí Konektor-Emitor Max
1.2kV
Montáž Tranzistoru
Panel
IGBT Konfigurace
Half Bridge
DC Kolektorový Proud
200A
Saturační Napětí Kolektor-Emitor
3.3V
Výkonové Ztráty Pd
-
Provozní Teplota Max
150°C
Druh Pouzdra Tranzistoru
Module
Počet Pinů
7Pinů
IGBT Technologie
NPT IGBT [Ultrarychlý]
Produktová Řada
-
Technické dokumenty (2)
Alternativy pro SKM200GB125D
Nalezen 1 produkt
Související produkty
Nalezené produkty: 4
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Slovak Republic
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Slovak Republic
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.18
Sledovatelnost produktů