Vytisknout stránku
SI823H8BD-IS3R
Budič Hradla, 5kV, 2 Zesilovačů, Izolované, High Side a Low Side, IGBT, MOSFET, 14 Pinů, WSOIC
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Informace o produktu
VýrobceSILICON LABS
Č. dílu výrobceSI823H8BD-IS3R
Objednací kód3577506
Technický list
Počet Kanálů2Zesilovačů
Typ Budiče HradlaIzolované
Konfigurace BudičeHigh Side a Low Side
Typ Výkonového SpínačeIGBT, MOSFET
Počet Pinů14Pinů
Pouzdro IOWSOIC
Montáž IOPovrchová Montáž
Typ VstupuNeinvertující
Proud Zdroje4A
Proud Spotřebiče4A
Napájecí Napětí Min3V
Napájecí Napětí Max5.5V
Provozní Teplota Min-40°C
Provozní Teplota Max125°C
Vstupní Prodleva39ns
Výstupní Prodleva19ns
Produktová Řada-
Kvalifikace-
SVHCTo Be Advised
Přehled produktu
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení dodacích lhůt. Dodací lhůty se mohou měnit. Na produkt se nevztahují slevy.
Technické specifikace
Počet Kanálů
2Zesilovačů
Konfigurace Budiče
High Side a Low Side
Počet Pinů
14Pinů
Montáž IO
Povrchová Montáž
Proud Zdroje
4A
Napájecí Napětí Min
3V
Provozní Teplota Min
-40°C
Vstupní Prodleva
39ns
Produktová Řada
-
MSL
MSL 3 - 168 hodin
Typ Budiče Hradla
Izolované
Typ Výkonového Spínače
IGBT, MOSFET
Pouzdro IO
WSOIC
Typ Vstupu
Neinvertující
Proud Spotřebiče
4A
Napájecí Napětí Max
5.5V
Provozní Teplota Max
125°C
Výstupní Prodleva
19ns
Kvalifikace
-
SVHC
To Be Advised
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Taiwan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Taiwan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:To Be Advised
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000001
Sledovatelnost produktů