Vytisknout stránku
STGB10NB37LZT4
IGBT, 20 A, 1.3 V, 125 W, 410 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pinů
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
K dispozici pro objednání
Obvyklá doba realizace výrobce Počet týdnů: 11
Upozorněte mě při naskladnění
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 63.452 Kč |
| 10+ | 41.131 Kč |
| 100+ | 29.344 Kč |
| 500+ | 24.478 Kč |
| 1000+ | 20.816 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 1
Více: 1
63.45 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceSTMICROELECTRONICS
Č. dílu výrobceSTGB10NB37LZT4
Objednací kód3366975
Technický list
Stálý Proud Kolektoru20A
Saturační Napětí Kolektor-Emitor1.3V
Rozptýlený Výkon125W
Napětí Konektor-Emitor Max410V
Druh Pouzdra TranzistoruTO-263 (D2PAK)
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max175°C
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Produktová Řada-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technické specifikace
Stálý Proud Kolektoru
20A
Rozptýlený Výkon
125W
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-263 (D2PAK)
Provozní Teplota Max
175°C
Produktová Řada
-
Saturační Napětí Kolektor-Emitor
1.3V
Napětí Konektor-Emitor Max
410V
Počet Pinů
3Pinů
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00138
Sledovatelnost produktů