Vytisknout stránku
STP9NK50Z
Výkonový MOSFET, N Kanál, 500 V, 7.2 A, 0.85 ohm, TO-220, Skrz Desku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
2 296 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 62.198 Kč |
| 10+ | 37.118 Kč |
| 100+ | 32.604 Kč |
| 500+ | 28.591 Kč |
| 1000+ | 26.585 Kč |
| 5000+ | 26.083 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
62.20 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceSTMICROELECTRONICS
Č. dílu výrobceSTP9NK50Z
Objednací kód8165300
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds500V
Trvalý Proud Drainu Id7.2A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.85ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-220
Montáž TranzistoruSkrz Desku
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs3.75V
Rozptýlený Výkon110W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
The STP9NK50Z is a SuperMESH™ N-channel Zener-protected MOSFET obtained through an extreme optimization of well-established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications.
- 0.72Ω RDS (ON)
- Extremely high dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitances
- Very good manufacturing repeatability
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Výstrahy
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
7.2A
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-220
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
110W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napětí Drain Source Vds
500V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.85ohm
Montáž Tranzistoru
Skrz Desku
Prahové Napětí Vgs
3.75V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
-
MSL
-
Technické dokumenty (2)
Související produkty
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.002