Vytisknout stránku
VND7NV04TR-E
Výkonový MOSFET, N Kanál, 45 V, 12 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
4 132 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 56.932 Kč |
| 10+ | 41.131 Kč |
| 100+ | 29.093 Kč |
| 500+ | 23.425 Kč |
| 1000+ | 22.948 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 1
Více: 1
56.93 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceSTMICROELECTRONICS
Č. dílu výrobceVND7NV04TR-E
Objednací kód2341723
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds45V
Trvalý Proud Drainu Id12A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.06ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-252 (DPAK)
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs5V
Prahové Napětí Vgs500mV
Rozptýlený Výkon60W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max-
Produktová Řada-
Kvalifikace-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
- 45V, 12A N-channel OMNIFET II fully autoprotected power MOSFET in 3 pin TO-252 package
- Linear current limitation
- Built-in thermal shutdown, short circuit protection
- Integrated clamp
- Low current drawn from input pin
- Diagnostic feedback through input pin
- ESD protection
- Direct access to the gate of the power MOSFET (analogue driving)
- Compatible with standard power MOSFET in compliance with the 2002/95/EC European directive
- Intended for replacement of standard power MOSFETs from DC up to 50KHz applications
Výstrahy
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
12A
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
5V
Rozptýlený Výkon
60W
Provozní Teplota Max
-
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napětí Drain Source Vds
45V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.06ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
500mV
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
-
MSL
-
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000409