Vytisknout stránku
2SK3075(TE12L,Q)
RF FET Tranzistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
K dispozici pro objednání
Obvyklá doba realizace výrobce Počet týdnů: 28
Upozorněte mě při naskladnění
| Množství | |
|---|---|
| 1000+ | 94.802 Kč |
| 3000+ | 83.015 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno jako Celá Cívka)
Minimálně: 1000
Více: 1000
94 802.00 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceTOSHIBA
Č. dílu výrobce2SK3075(TE12L,Q)
Objednací kód4320099
Technický list
Napětí Drain Source Vds30V
Trvalý Proud Drainu Id5A
Rozptýlený Výkon20W
Provozní Frekvence Min-
Provozní Frekvence Max520MHz
Druh Pouzdra TranzistoruSMD
Počet Pinů4Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Typ KanáluN Kanál
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Produktová Řada-
SVHCTo Be Advised
Technické specifikace
Napětí Drain Source Vds
30V
Rozptýlený Výkon
20W
Provozní Frekvence Max
520MHz
Počet Pinů
4Pinů
Typ Kanálu
N Kanál
Produktová Řada
-
Trvalý Proud Drainu Id
5A
Provozní Frekvence Min
-
Druh Pouzdra Tranzistoru
SMD
Provozní Teplota Max
150°C
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
SVHC
To Be Advised
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Japan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Japan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:To Be Advised
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000001
Sledovatelnost produktů