Vytisknout stránku
GT25Q102
IGBT, 25 A, 2.7 V, 200 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 Pinů
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Již se nevyrábí
Informace o produktu
VýrobceTOSHIBA
Č. dílu výrobceGT25Q102
Objednací kód1300802
Technický list
Stálý Proud Kolektoru25A
Saturační Napětí Kolektor-Emitor2.7V
Rozptýlený Výkon200W
Napětí Konektor-Emitor Max1.2kV
Druh Pouzdra TranzistoruTO-3P
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Montáž TranzistoruSkrz Desku
Produktová Řada-
Technické specifikace
Stálý Proud Kolektoru
25A
Rozptýlený Výkon
200W
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-3P
Provozní Teplota Max
150°C
Produktová Řada
-
Saturační Napětí Kolektor-Emitor
2.7V
Napětí Konektor-Emitor Max
1.2kV
Počet Pinů
3Pinů
Montáž Tranzistoru
Skrz Desku
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Japan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Japan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00975