Vytisknout stránku
SI1029X-T1-GE3
Duální MOSFET, Komplementární N a P Kanál, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
3 385 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
Do vyprodání zásob
| Množství | |
|---|---|
| 100+ | 6.671 Kč |
| 500+ | 4.916 Kč |
| 1000+ | 4.414 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 5
787.10 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSI1029X-T1-GE3
Objednací kód2101477RL
Technický list
Typ KanáluKomplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál60V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál60V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál305mA
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál305mA
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál1.4ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál1.4ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSC-89
Počet Pinů6Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál250mW
Výkonové Ztráty P Kanál250mW
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
The SI1029X-T1-GE3 is a N/P-channel complementary MOSFET designed for use with replace digital transistor, level-shifter, battery operated systems and power supply converter circuits applications. It offers ease in driving switches, low offset (error) voltage, low-voltage operation and high-speed circuits.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- Very small footprint
- High-side switching
- Low ON-resistance
- ±2V Low threshold
- 15ns Fast switching speed
Technické specifikace
Typ Kanálu
Komplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
60V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
305mA
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
1.4ohm
Počet Pinů
6Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
250mW
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
60V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
305mA
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
1.4ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SC-89
Výkonové Ztráty N Kanál
250mW
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (3)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000031
Sledovatelnost produktů