Vytisknout stránku
SI3460DDV-T1-GE3
Výkonový MOSFET, N Kanál, 20 V, 7.9 A, 0.028 ohm, TSOP, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
3 796 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 100+ | 4.364 Kč |
| 500+ | 4.063 Kč |
| 1500+ | 3.687 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 5
556.40 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSI3460DDV-T1-GE3
Objednací kód1858948RL
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds20V
Trvalý Proud Drainu Id7.9A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.028ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTSOP
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs4.5V
Prahové Napětí Vgs400mV
Rozptýlený Výkon1.7W
Počet Pinů6Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
- 20V, 7.9A N-channel TrenchFET® power MOSFET in 6 pin TSOP package
- 100% Rg tested
- 100 % UIS tested
- Suitable for DC/DC converters, boost converters and load switch
Výstrahy
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
7.9A
Druh Pouzdra Tranzistoru
TSOP
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
4.5V
Rozptýlený Výkon
1.7W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napětí Drain Source Vds
20V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.028ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
400mV
Počet Pinů
6Pinů
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Technické dokumenty (2)
Alternativy pro SI3460DDV-T1-GE3
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000049
Sledovatelnost produktů