Vytisknout stránku
SI4866BDY-T1-GE3
Výkonový MOSFET, N Kanál, 12 V, 21.5 A, 5300 µohm, SOIC, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Již se nevyrábí
Informace o produktu
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSI4866BDY-T1-GE3
Objednací kód2335321
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds12V
Trvalý Proud Drainu Id21.5A
Odpor Drain-Source při Zapnutí5300µohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOIC
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs4.5V
Prahové Napětí Vgs1V
Rozptýlený Výkon4.45W
Počet Pinů8Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
21.5A
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOIC
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
4.5V
Rozptýlený Výkon
4.45W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
Napětí Drain Source Vds
12V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
5300µohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
1V
Počet Pinů
8Pinů
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.001
Sledovatelnost produktů